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10nm之后是什么?

借助摩尔定律,半导体制造公司的芯片制造商一直能够使每个节点的晶体管数量增加一倍,同时将成本降低近30%。纳米搜球吧直播nba直播的发展非常成功,这归功于使用IC缩放功能,从而以较低的成本生产出了用于电子设备等更快的芯片。尽管多年来摩尔定律不断为生产者和消费者提供利益,但业界不确定该法律将持续多长时间。

如今,纳米搜球吧直播nba直播的发展正处在芯片有望缩小至10nm的阶段。尽管这是一项非常先进的搜球吧直播nba直播,但半导体制造行业已经在展望不久的将来纳米搜球吧直播nba直播的发展。芯片制造商在评估和定义7nm晶体管选项方面一直取得进展,并有望在2018年发布该搜球吧直播nba直播。 芯片制造商 预测他们将能够在未来十年左右的时间内将尺寸进一步缩小到5 nm,然后是3 nm。

尽管芯片制造商相信他们将继续在纳米搜球吧直播nba直播开发方面取得进展,但摩尔定律在过去几年中创造的道路已不再像从前那样清晰。行业专家反对一旦释放7 nm,哪种晶体管搜球吧直播nba直播将保持传统的每晶体管成本曲线。该曲线已经存在问题,因为该行业在20nm和14nm处都经历了减慢,这意味着摩尔定律可能不再成立。

为了使搜球吧直播nba直播与每晶体管的成本曲线保持一致,半导体行业正在考虑7nm及更高版本的多种选择,包括:

  • III-V FinFET
  • 全方位栅极FinFET
  • 纳米线FinFET
  • SOI FinFET
  • 隧道FinFET
  • 2.5D / 3D叠层模具
  • 单片3D
  • 碳纳米管
  • 石墨烯

如今,当今半导体行业使用的FinFET和FDSOI搜球吧直播nba直播有望在10nm上运行良好,但在7nm发布时将开始失去其有效性。因此,必须考虑上面列出的晶体管搜球吧直播nba直播。

最终选择的搜球吧直播nba直播将仅基于三个因素:成本,可制造性和功能性。目前,这项工作的主要竞争者是III-V FinFET,它涉及用III-V材料注入沟道以增加迁移率。另一个非常受欢迎的选择是全方位栅极FinFET,它具有两个或多个栅极,每个栅极都由III-V纳米线通道包裹。随着时间的流逝,随着纳米搜球吧直播nba直播发展到7纳米及以后,我们将开始看到关于晶体管搜球吧直播nba直播的更清晰的图景。

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