I线/ G线/ NOVOLAK和化学增强型抗蚀剂

信越MicroSi的正DNQ光刻胶经配制可提供非凡的效果。这些抗蚀剂的特性包括笔直的垂直轮廓,出色的聚焦深度,在苛刻的工艺环境中的耐蚀刻性,出色的电镀性能,优异的附着力,低光吸收性和高长宽比。 SIPR的卓越性能归因于一种单组分光刻胶,其中DNQ光刻胶粘合到主要树脂上。 SIPR光刻胶广泛用于半导体,GaAs,薄膜头,MEMS,凸块和其他特殊应用。

SIPR 3251

信越MicroSi的SIPR 3251 I线光刻胶和G线光刻胶在1-6 um厚的光刻胶中具有小于250 nm的隔离线和半密集线的打印能力。此外,这些抗蚀剂的使用范围为10-20µm。这种DNQ光致抗蚀剂广泛用于半导体,薄膜头,MEMS,微电子应用中,这些应用要求湿法蚀刻,干法蚀刻和RIE环境具有出色的工艺范围。可以使用TMAH或KOH开发人员进行开发。

SIPR 9740

信越MicroSi的SIPR 9740 I线光刻胶和G线光刻胶在1-15 um厚的光刻胶中具有小于300nm的隔离线和半密集线的打印能力。这种DNQ光致抗蚀剂被广泛用于半导体,MEMS,薄膜头和微电子应用中,这些应用要求对剥离,电镀,湿法蚀刻和RIE具有卓越的工艺范围。可以使用TMAH或KOH开发人员进行开发。

SIPR 9332

信越MicroSi的SIPR 9332 I线光刻胶和G线光刻胶具有打印能力。该DNQ光致抗蚀剂广泛用于半导体,MEMS,薄膜头和微电子应用中,这些应用需要对离子注入和干法蚀刻环境具有很高的热稳定性。可以使用TMAH或KOH开发人员进行开发。

SIPR 9361

信越MicroSi的SIPR 9361 I线光刻胶和G线光刻胶在6 um厚膜光刻胶中的打印能力小于1 um隔离线和高轮廓图像。这种DNQ光刻胶广泛用于要求高交联和低热膨胀特性的钝化,应力缓冲层和永久绝缘层的半导体,MEMS和薄膜头中。可以使用TMAH或KOH开发人员进行开发。

化学放大

信越MicroSi为特殊应用提供厚而薄的化学放大正SIPR I线光刻胶。这种I线光刻胶膜具有高热稳定性和高化学稳定性。

SIPR 7120/7121

信越MicroSi的SIPR 7120/7121 I线光致抗蚀剂膜专为高分辨率,单涂层,直侧壁轮廓而配制,印刷能力小于3 um沟槽,并在3-100 um厚I-line膜中隔离了接触孔/螺柱光刻胶。这种I线光致抗蚀剂广泛用于MEMS,凸块,薄膜头和其他特殊应用,这些应用需要出色的热/化学稳定性以及出色的光速性能,以应对极具侵略性的电镀和干法蚀刻环境。可以使用TMAH或KOH显影剂对I线光刻胶进行显影。