深紫外光致抗蚀剂
Shin-Etsu不断增加我们的光刻胶产品线；请打开“深紫外线路线图”（PDF 115KB）以检查我们的前进方向。
信越MicroSi的SAIL–G系列提供：
高分辨率性能
- 110毫米孔; 0.7-0.8um DOF @ 0.68NA和Ann。生病
- 120mm孔; 0.3-0.4um DOF @ 0.68NA＆转化生病
- 80毫米孔; 0.25um DOF @ 0.85NA和Ann。病态G28（染色）针对薄膜工艺进行了优化
耐腐蚀
- 蚀刻速度：与248抗蚀剂相同
- 蚀刻后粗糙度：优于248的抗蚀剂在热流下仍然更光滑
可用热流
- 100-90mm hole is achieved, 100mm hole DOF>0.5um @0.68NA
DUV专业应用
信越MicroSi为特殊应用提供厚和薄的248nm准分子DUV抗蚀剂。这些深紫外光阻剂可配制成超高分辨率或极高的纵横比。
SEPR 1032
信越MicroSi的SEPR I032 DUV抗蚀剂专为高分辨率，直侧壁轮廓而设计，在4 µm厚的UV光刻胶中，印刷能力小于250 nm的隔离沟槽和半密集线。这种紫外线光致抗蚀剂广泛用于TFH工业中的NiFe和Cu基板。
1051年9月
信越MicroSi的SEPR I801 / I803 DUV光刻胶具有极高的分辨率，在300nm薄膜UV光刻胶中具有小于65nm的隔离线和密集线的印刷能力。该UV光致抗蚀剂被广泛用于半导体和TFH读取器应用中，这些应用在深度UV干蚀刻环境中要求高度复杂的抗蚀刻性能。
