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晶圆级装配临时粘结剥离胶技术的新颖设计
在柔性标签中集成超薄硅芯片
集成超薄硅片1MB
对于太阳能和光伏应用，信越化学推出了用于电池加工和安装模块的新材料
对于半导体晶圆键合和硅通孔应用，信越MicroSi推出了新型干膜电介质光刻胶
使用光敏聚合物层的粘合晶圆键合
对于半导体先进的封装凸点处理，信越化学推出了超厚光刻胶– SIPR-7126
Shin-Etsu推出用于凸块加工和厚抗蚀剂应用的电镀和介电膜用新型光刻胶
凤凰–(BUSINESS WIRE)–April 5, 2006–信越宣布开发和发布两种新的用于介电膜和厚电镀凸点应用的光刻胶材料。
用于在300mm晶圆上重新分布和减少应力缓冲的新型光敏材料
SINR演示了应力缓冲应用程序和重新分配应用程序对机械和电气特性的需求。
在300 mm晶圆上表征100微米厚的正性光刻胶
这项研究开发了一种单层正性100m光致抗蚀剂的工艺，该工艺可在300mm晶圆上进行凸块处理。
Altera选择信越化学’s热界面材料
Altera公司选择了Shin-Etsu’高端Stratix II FPGA系列包装中的导热界面凝胶材料。信越’s材料具有出色的热特性，其低模量有助于吸收封装中集成的散热器与硅中的压敏低k介电材料之间的应力。
信越MicroSi授予AMD’享有声望的探路者奖
信越MicroSi授予AMD’享有声望的Pathfinder奖AMD将其Pathfinder最佳供应商奖授予了Shin-Etsu MicroSi和其他三家公司。 信越MicroSi因其在为微处理器开发热界面材料方面的出色技术支持和承诺而获得该奖项。
CEM温度和保质期要求
信越MicroSi在我们的CEM产品线上完成了温度和保质期测试。这项广泛的评估使我们能够将某些CEM保质期延长一倍。
用于电镀应用的超厚正性光刻胶的表征
这项研究表明，Shin-Etsu SIPR 7120M光致抗蚀剂具有很好的平衡光刻性能，可以通过一次涂布工艺以100µm的厚度进行涂布和曝光。 SIPR7120M是积极的代理；酸催化基材料，易于加工。
厚光刻胶应用的对比度增强材料
这项研究检验了在40微米厚的CEM顶部处理中等和高对比度的正性光刻胶的可行性。 CEM的使用极大地提高了Shin-Etsu 9740和Clariant AZ P4620的光刻性能。
用于高级包装应用的新型光刻胶再分配材料的特性
这项研究详细介绍了在Ultratech Saturn Spectrum 3步进器上处理SINR 3170M光致抗蚀剂以实现重新分配水平的可行性。 SINR 3170M是一种负作用，酸催化的硅氧烷基材料，可以轻松加工。
用于亚微米I线平版印刷的良率提高的对比度增强材料
通过使用现有的抗蚀剂工艺实施CEM 365iS，我们能够在足够的曝光范围内将DOF提高约0.7µm。
