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Shin-Etsu利用我们化学制造领域广泛的电子光刻材料专业知识,提供最新的高质量和高性能KrF光致抗蚀剂,ArF光致抗蚀剂,F2光致抗蚀剂,旋涂硬掩模以及与之相关的其他光刻材料半导体生产过程。

我们的光刻材料产品线在与抗蚀剂工艺相关的半导体应用中采用多种方法。无论是ArF光刻胶,旋涂硬掩模,薄抗蚀剂膜还是光刻蚀刻,MicroSi均可提供可与业界其他同类产品竞争的优质光刻材料。

深紫外光致抗蚀剂

信越MicroSi 为特殊应用提供厚和薄的248nm准分子DUV抗蚀剂。这些深紫外光阻剂可配制成超高分辨率或极高的纵横比。

I线 G线; NOVOLAK和化学增强型抗蚀剂

信越MicroSi 的正DNQ光刻胶经配制可提供非凡的效果。这些抗蚀剂的特性包括笔直的垂直轮廓,出色的聚焦深度,在苛刻的工艺环境中的耐蚀刻性,出色的电镀性能,优异的附着力,低光吸收性和高长宽比。 SIPR的卓越性能归因于一种单组分光刻胶,其中DNQ光刻胶粘合到主要树脂上。 SIPR光刻胶广泛用于半导体,GaAs,薄膜头,MEMS,凸块和其他特殊应用。

先进的包装材料

Shin-Etsu制造用于高级包装应用,晶圆级包装和3D集成的各种可光成像介电材料。这些包括用于重新分布布线(RDL)和应力缓冲应用,TSV填充和永久性晶圆键合的光敏介电材料。此外,用于D2D(芯片对芯片)和D2W(芯片对晶片)键合的介电材料,以及晶圆级的包覆成型,使晶圆变薄的临时键合材料以及用于铜柱镀覆和其他微细化的光刻胶互连。

对比增强材料

CEM(对比度增强材料)是一种可光漂白的材料,最初对曝光波长不透明,但在曝光后几乎变为透明(透射率90%)。对比度增强材料应用于光致抗蚀剂表面。在常规曝光之后,用预润湿的去离子水去除该层,并以普通方式显影抗蚀剂。由于存在可漂白材料,到达光致抗蚀剂的照明的对比度增强清晰度增加。对比度增强的定义取决于CEM的光化学性质和曝光抗蚀剂所需的剂量。

粘合促进剂

我们的PGMEA,DEATS和HMDS粘合促进剂用于增强光刻胶与二氧化硅表面的粘合。 信越MicroSi 的MicroPrime™PGMEA,DEATS和HMDS粘合促进剂系列可轻松与基材发生反应,从而去除吸收的水并降低表面能。由粘合促进剂产生的疏水性疏水界面可防止蚀刻剂对光致抗蚀剂进行底切。

 

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