使用光刻胶和电子束光刻技术

光致抗蚀剂是用于光刻的光敏材料,以在表面上形成图案化的涂层。光致抗蚀剂的一些应用是:微电子学,基板的图案和蚀刻以及印刷电路板的制造。电气工程行业严重依赖于抗蚀剂的多种应用,并期望它们的配方和一致性良好。在光致抗蚀剂工艺中使用的化学品是PMMA或聚甲基丙烯酸甲酯,PMGI或聚戊二酰亚胺,DNQ / Novolac或苯酚甲醛树脂和SU-8。

深紫外光致抗蚀剂

强烈的深紫外线吸收导致较低的光刻胶敏感性。紫外线暴露的时间越来越长,因为苯发色团和DNQ酚醛清漆的吸收机理共同导致更强的 DNQ-novlac光刻胶。深紫外光致抗蚀剂通常是具有光酸的聚羟基苯乙烯基聚合物,光酸会引起溶解度变化。有深紫外光致抗蚀剂,广泛用于需要干法蚀刻的半导体和TFH读取器应用中。一些紫外线光致抗蚀剂的高度复杂的耐蚀刻性能是针对干法蚀刻环境而制成的。

正负紫外线抵抗

有两种类型的深层紫外线防护剂:负性和正性。负抗蚀剂是 光刻胶 当未曝光的部分被光致抗蚀剂显影剂溶解时,在未曝光的部分被光致抗蚀剂曝光时,其变得不溶。因此,用于负性UV光刻胶的掩模包含要显影的图案的反面。尽管现在正性抗蚀剂是VLSI制造中使用的主要抗蚀剂类型,但目前市场上的负性光刻胶可以表现出更好的附着力。

正性深紫外光致抗蚀剂仅以相反的方式起作用。对于正性抗蚀剂,无论下面要去除的材料是什么,抗蚀剂表面都要暴露在紫外线下。紫外线通过改变抗蚀剂的化学成分起作用,从而使其减弱并因此可溶于显影剂。遮罩包含要保留的图案的精确副本。

电子束抵抗

电子束光刻(或称电子束光刻)处于其最基本的水平,只需扫描聚焦的电子束以将形状刻在也称为抗蚀剂的电子敏感膜表面上即可。电子束抗蚀剂之所以起作用,是因为电子束会改变抗蚀剂的溶解度,从而可以去除所需材料,从而留下暴露的区域。然后在溶剂中将抗蚀剂表面“显影”。虽然UV光刻已成为常态,并且在许多方面都超出了预期,但电子束抗蚀剂却提供了一种有前途的选择。