从平面过渡到3D NAND困难重重

由于制造过程中出乎意料的步骤,向3D NAND技术的过渡减慢了蜗牛的步伐。这对财务产生了影响,供应商努力生产满足不断增长的需求所需的资金。英特尔和东芝等大型科技公司一直在向用户提供平面NAND,以追赶潮流,但是当2D产品实际上已过时时,它们将不得不在年底前开始依赖3D NAND。

DRAM需求预计将增长到20%,但供应量仅为15%。 NAND市场目前占内存市场的30%,所有竞争者都将争夺2017年第三季度,届时3D技术将占该行业总产量的一半以上。

美光公司预测情况只会恶化。它预计在未来四年中需求将增长45%,其中很大一部分将由大量购买固态驱动器和移动设备推动。

NAND的转型

过渡由于几个问题而减慢了速度。大多数参与者误解了制造成本。预计3D NAND的价格将比其2D祖先的价格便宜,但事实证明,其制造价格要高出三到五倍。

在过去的几十年中,半导体技术通过遵循不再适用于NAND的摩尔定律,取得了如此辉煌的成就。厂商通常选择3D NAND作为其每比特价格。从表面上看,这是有道理的。但是,在下面挖掘,您会发现不同的现实。但是,由于价格上涨以反映稀缺的供应,在这种情况下,供应商仍然会赢。

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