光学光刻路线图

光学 光刻技术 由于下一代光刻技术(NGL)的延迟,多年来,路线图已被多次重写。即使在今天,随着行业等待极限,仍然存在高度不确定性 紫外线光刻 (EUV),领先的下一代技术候选人。 EUV继续被延迟,因为在10 nm处插入它带来了许多挑战,在发布之前必须克服这些挑战。此外,由于行业向450毫米晶圆过渡以及对高级节点的持续搜索等问题,光学光刻路线图也即将出现,这是诸如定向自组装,无掩模和纳米等NGL技术所需的技术发展。

NGL技术的这些延误在整个行业引起了极大的恐慌,因为许多人担心流程将停止,这需要立即使用有效的NGL技术。幸运的是,事实并非如此。工业界已经能够继续使用193 nm光刻技术来制造用于半导体工业运营的晶圆。

在这项较老的技术仍在工作的同时,芯片制造商正焦急地等待EUV技术的发展,因此他们可以恢复到单次曝光并拥有更强大的发展路线图。公司一直在努力推动发展 EUV 450毫米以更快的速度投资ASML,该公司生产了300毫米EUV扫描仪,能够在9 nm处成像。尽管电源,光掩膜和抗蚀剂存在问题,但投资公司之一的台积电(TSMC)认为ASML在EUV方面取得了很大进步,并致力于在2016年投资其10 nm斜坡的工具。

为了使EUV投入生产,台积电必须首先获得ASML的扫描仪,并解决该技术发现的所有主要和次要问题。该过程必须完整,并且至少要在实施前两三年被证明是可靠且具有成本效益的。尽管任务艰巨,但台积电对自己的公司充满信心,并坚信ASML提供的技术将能够处理10纳米的一到两个关键层。但是,其他公司对此表示怀疑,认为7 nm更现实可行。

到目前为止,很明显,光学光刻路线图处于混乱状态。随着公司继续朝着NGL的目标努力,我们有望开始更好地了解生产将如何成形。在 信越MicroSi作为半导体制造行业的供应商,我们始终处于与行业相关的最新技术之上,并将在未来几年内不断监控NGL的发展。如果您对维持或改善半导体制造业务的任何产品感兴趣,请相信我们以客户服务为导向的团队,为您提供友好,有用的服务以及高品质,技术先进的产品。要了解更多信息,请致电(480)893-8898致电Shin-Etsu MicroSi或 在线联系我们.