正负光刻胶的区别

作为半导体供应商,光刻胶是一种可以持续使用的材料。这种光敏材料有正负两种,当暴露于紫外线下时反应会非常不同。因此,必须了解每个反应,以便在半导体制造行业中产生最佳结果。

正性光刻胶

使用正性光致抗蚀剂,紫外线可以战略性地击中半导体供应商打算去除的区域中的材料。当光致抗蚀剂暴露于紫外线下时,化学结构发生变化并变得更易溶于光致抗蚀剂显影剂中。然后用光致抗蚀剂显影剂溶剂洗去这些曝光的区域,留下下面的材料。未暴露于紫外线的光刻胶区域对光刻胶显影剂不溶。在半导体制造行业中使用正性光刻胶时,您会收到相同的图案副本,该图案作为掩模暴露在晶圆上。

负性光刻胶

使用负性抗蚀剂时,暴露在紫外线下会导致光致抗蚀剂的化学结构发生聚合,这与正性光致抗蚀剂正好相反。负性光刻胶没有变得更易溶解,反而变得极其难以溶解。结果,当光致抗蚀剂显影剂溶液用来去除未曝光的区域时,暴露于紫外线的负性抗蚀剂保留在表面上。这样就留下了一个由原件的反图案组成的掩模,该掩模被施加在晶片上。

如今,正性和负性光致抗蚀剂仍在半导体制造行业中使用,但是许多半导体供应商选择正性光致抗蚀剂,因为它们具有更高的分辨率。正性光致抗蚀剂能够保持其尺寸和图案,因为光致抗蚀剂显影剂溶剂不会渗透到尚未暴露于紫外线下的区域。使用负性抗蚀剂时,UV曝光区域和未曝光区域均会被溶剂渗透,这可能导致图案变形。

虽然正性光刻胶似乎具有优势,但负性光刻胶不一定已成为过去。负性抗蚀剂是不需要那些高分辨率的半导体电源的好材料。与正性光致抗蚀剂相反,负性光致抗蚀剂具有更快的光速,更宽的工艺范围和显着更低的运行成本。负性光致抗蚀剂对某些基材也具有更好的粘附能力。

正性和负性光致抗蚀剂在半导体制造业中均占有一席之地,并有助于生产一系列高质量的产品。在Phoenix的Shin-Etsu MicroSi,我们专门从事半导体行业的材料开发和制造。我们致力于为客户提供服务,并力求只提供最好的产品和客户服务。有关世界一流的半导体供应商Shin-Etsu MicroSi的更多信息,请致电(480)893-8898或 在线联系我们 .