努力达到7nm和5nm芯片

半导体行业生产商 我们非常有信心他们可以将芯片扩展到10nm,而在7nm和5nm芯片方面则要小得多。对于10nm,缩放过程相对简单明了。但是,当业界尝试转向7nm和5nm时,该过程变得更加复杂和昂贵。此范围内的芯片需要全新的晶体管架构,通道材料和互连以及仍处于生产阶段的新fab工具。

尽管挑战很大,但半导体制造专家希望强调的是,仍然有可能达到7nm和5nm。因此,半导体行业正在向研发部门投入资源,以寻找具有成本效益,可扩展性和适合生产目的的新技术。多家公司的芯片制造商之间的合作从未像现在这样,希望团队合作能够帮助他们及时发现满足上述标准的技术。目前,半导体制造专家预测7nm将在2018年发布。

到目前为止,随着研究的完成,在通道中使用III-V材料的finFET是7nm和5nm的主要选择之一。业界目前正在考虑的两种III-V沟道材料是PFET和NFET。使用PFET时,锗的成分占80%。使用NFET时,锗含量为0%到25%,带有应变松弛缓冲剂。

尽管这项技术很有前途,但并非没有问题。该技术的主要问题是材料的带隙窄,这对低泄漏晶体管产生了严重的问题。因此,许多半导体行业专家认为,该技术可能会延迟7nm,而不是推迟到5nm。因此,诸如乙烯基树脂供应商之类的半导体制造企业正在权衡其他选择,包括全栅,量子阱finFET和SOI finFET。垂直纳米线也是一种正在探索的选择。

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