2017年的自旋电子学和半导体

自旋电子学在1980年代成为固态物理学的研究前沿。自旋电子学与常规电子学之间的区别在于,重点是自旋而不是电荷。自旋电子器件通常利用两种特性来完善其功能。

在亚原子级,自旋的性质是指粒子的角动量(在这种情况下,是电子的)。 可以在足够高质量的材料中测量自旋,从而加深了对我们如何利用旋转来改进设备的了解。

自旋电子学在半导体中的应用

不断增加的内存同时减小大小的趋势要求解决方案的规模在不断缩小。通过了解和控制电子自旋,

  • 铁磁半导体和自旋晶体管也成为可能。
  • 逻辑电路是非易失性的,并且具有高能效。
  • n型半导体 将提供一系列新功能,包括量子尺寸效应和波函数操纵。
  • 它们可以实现更高的存储密度。
  • 自旋转移力矩可以实现MRAM,从而可以提供出众的速度。

自旋电子学和MRAM

磁性随机存取存储器(MRAM)有望提供一种非易失性,可扩展,高能效的解决方案,可以与现有的基于Si的半导体材料一起实施。基于自旋电子学的电子产品已经找到了利基应用,并随着研究人员发现更多潜力而继续颠覆该行业。这些设备可以替代传统的基于Si的存储技术,但更重要的是,自旋电子器件可以与当前技术集成在一起。

今日材料 发布了对 MRAM的研究与应用现状。它介绍了MRAM技术背后的原理,讨论了其好处,并回顾了该专业领域过去30年的发展。

通过保持当前基于硅的技术的强大市场份额并投资于尖端R&同时,Shin-Etsu MicroSi保持了我们作为高质量产品可靠来源的声誉。填写我们的 信息索取表格 进一步了解我们的产品。