美光科技采用3D NAND和Stacked Die技术

英特尔宣布他们将专注于3D NAND 筹码 ,突然引起了很多人对美光的关注。美光与英特尔通过IMFT联合业务开展合作,因此无论英特尔在做什么,美光也在做。堆叠芯片技术似乎是下一个大问题,因为缩放问题最终迫使芯片技术发生了尺寸变化。好处很明显,但是也有风险。

能够 越来越小

进入3D之所以被迫,主要是因为芯片尺寸越来越小。 15nm是目前的平面NAND单元尺寸,从34nm,25nm,20nm和16nm减小。美光的NAND营销主管Kevin Kilbuck在接受采访时表示 寄存器 小于15nm只是不具有“商业竞争力”。在这种限制下,架构转向向外和向上移动,而不是继续使用平面NAND单元。通过堆叠电池阵列,每个裸片都可以增加容量,而不会增加 所需筹码 .

一个充满趣味的市场

闪存在消费者中占有巨大的份额,因此,芯片制造商正在创造自己的技术,以使用软件和应用程序满足闪存的需求。随着最受欢迎和最重要的设备的竞争不断,制造商正在使用提高的性能和耐用性来确保其产品与竞争对手竞争。美光公司希望,由于3D NAND设计的容量和成本效率提高,他们向3D NAND芯片的转变实际上将开拓新的潜在市场和技术。

快来了

3D NAND芯片目前尚未使用,但应该很快就会出现在设备中。在美光,人们期望随着时间的推移,随着制造调整和新设备的开发,所有大容量闪存市场都将采用3D NAND技术。美光和英特尔并不是唯一从事3D NAND的公司。实际上,有传言称,为满足SanDisk的闪存需求而开发的东芝也正在开发3D NAND产品线,并将尽快将其自己的叠层裸片选项推向市场。

安全

人们对堆叠管芯和3D NAND技术存在一些担忧,主要是因为从一开始就没有提供安全保护,否则就有可能出现漏洞。但是,知道安全是当务之急,因此希望可以利用任何加强安全的机会。