IBM在硅上集成了III-V材料

IBM通过成功制造制造混合硅/ III-V搜球吧直播nba直播管所必需的复杂而通用的结构,率先克服了硅与III-V材料(包括铟,镓,砷化物及其化合物)之间的晶格失配问题。这包括沿纳米结构,纳米线交叉结和3D堆叠纳米线的收缩。它们被称为化合物半导体,已经用于军事无线电收发器等应用所要求的高性能设置中。但是,到目前为止,由于生产成本和缺陷密度等两个原因,它们尚未用于消费类产品。

使用模板辅助的选择性外延(TASE),这是IBM率先在绝缘体上硅(SOI)衬底上沉积适用于搜球吧直播nba直播管通道和其他结构的超快III-V纳米线的方法,IBM取得了成功 半导体产品 全世界已经尝试了很多年。

这是朝着制造允许集成电路在尺寸和成本上不断缩小同时提高性能的计算机芯片迈出的重要一步。

IBM期望这一成就还将导致有源光子学的发展。 硅基板 因为III-V材料通常用于制造片上激光器和其他光子结构。

IBM为III-V材料与硅的集成奠定了坚实的基础,并打算进行更多的开发和优化,以实现对III-V设备的性能与当前硅一样的控制。 IBM的新流程对于以经济高效的方式将堆叠材料集成到硅平台上至关重要。

根据IBM代表的说法,这项工作与其他方法的不同之处在于,化合物半导体不包含TASE工艺带来的有害缺陷。此过程使用金属有机化学气相沉积法生长新搜球吧直播nba直播,该搜球吧直播nba直播从小面积开始,逐渐发展为更大的无缺陷搜球吧直播nba直播。由于该工艺与当前的芯片制造技术完全兼容,因此在经济上也是可行的。

IBM的这一突破有望扩展到摩尔定律,这是戈登·摩尔著名的观察,即集成电路上的搜球吧直播nba直播管数量大约每两年翻一番。 IBM研究员Heinz Schmid表示:“整个半导体行业都希望保持摩尔定律。随着我们继续缩小规模,我们需要性能更好的搜球吧直播nba直播管,而基于硅的搜球吧直播nba直播管将不再为我们提供改进。”

在消费者方面,这意味着计算机设备的持续趋势是速度和带宽增加,同时功耗和成本降低。