研究论文:测量晶圆的新技术

在半导体制造中,精度是关键。随着小型消费电子产品涌入市场,对可以承受热量规格的薄晶圆的需求没有放缓的迹象。一个研究小组解决了背面研磨硅晶片的一些问题,并试图通过测试新的测量技术来解决这些问题。

背面研磨问题

  • 在减薄过程中,背面研磨会在硅晶片表面产生划痕。
  • 这些划痕会产生粗糙的表面并削弱材料。背面研磨产生的划痕图案也会影响模具的断裂强度。
  • 精确地测量晶片以进行质量控制是困难的,因为当前技术仅测量晶片的一小部分而不是整个表面。
  • 当前的技术每次测量需要20到30秒,并且需要额外的设备来降低噪声。

该研究的目的是测试一种新的测量方法,以节省时间和材料,同时还可以出于质量控制的目的而产生更有意义的测量结果。

拟议的散射光技术

作者建议使用散射光传感器来快速正确地测量硅晶片。该技术已在其他制造过程中得到证明。测试散射光传感器的确能获得更快,更彻底的读数。作者认为,能够轻松分析经受不同研磨技术的晶圆的整个表面积将有助于改进工艺。

阅读有关固态技术的论文并查看图: 背面研磨硅片的快速精确表面测量