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掩膜会议突出了光刻技术的进展

在2015年的一次会议上,SPIE 光罩Technology展示了在制造掩模和 光刻技术 技术。

该会议是一个展示技术进步的论坛,特别是那些影响半导体光刻行业的技术进步。从DEEP UV光刻胶到ArF光刻胶,与光掩膜有关的技术将在本年会上深入讨论。

GlobalFoundries技术研究高级总监拉里·莱文森(Larry J. Levinson)发表了有关光刻和掩模挑战的主题演讲。

他告诉与会者,不需要完美的口罩,但是较大的缺陷是不能接受的。光掩模的背面必须保持清洁,并且必须控制光学接近校正误差。

莱文森的演讲解释说,光学多重图案的使用导致每个掩模的写入时间几乎没有增加,但是由于每套掩模的数量增加,整个掩模组的写入时间仍然有很大的增加。

因此,根据列文森的研究和著作,必须严格进行关键尺寸的控制和在口罩上的配准。

ASML Holding的高级首席架构师Jan van Schoot和卡尔·蔡司的半导体计量系统高级副总裁Andreas Pecher也出席了会议,与会的其他发言人都在讨论EUV扫描仪以及如何使EUV工作。可以在SPIE网站上找到更多信息。

SPIE光掩模技术会议将于2016年9月重返会议,为行业内的人们提供了另一个聚在一起讨论诸如 深紫外光刻胶 和遮罩。随着技术的进步和研究与开发的不断发展,这是一次了解光刻技术和该领域创新的机会。

2016年会议主题将包括掩模数据准备;基材,材料,防护膜;图案化工具和过程;抵抗和抵抗加工;蚀刻技术;计量检查;修理;清洁,污染和混浊;和面具制作的模拟。

它还将涵盖用于高NA EUV的变形掩模,包括光刻,OPC和SMO模型,放大率相互作用,半场掩模版的影响以及用于掩模制造和设计的缝合。

会议将涵盖新兴和替代性面罩技术,EUV防护膜以及面罩业务。

2015年会议的信息显示了光刻技术已经取得的进展-自2015年会议以来,该行业将取得巨大进步,2016年会议肯定会展示出更多。

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